VISHAY威世SI7115DN-T1-GE3 P沟道MOSFET

VISHAY威世SI7115DN-T1-GE3 P沟道增强型MOSFET场效应管

产品种类: P沟道MOSFET

封装: PowerPAK-1212-8

晶体管类型: 1 P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: -150 V

Id-连续漏极电流: -8.9 A

Rds On-漏源导通电阻: 0.295 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Qg-栅极电荷: 23.2 nC

工作温度: - 55℃——+ 150℃

Pd-功率耗散: 52 W

P沟道MOSFET SI7115DN-T1-GE3具有低漏源导通电阻和低漏电流的特点，广泛应用于DC / DC电源和开关照明。