VISHAY威世SI4435DDY-T1-GE3 P沟道MOSFET

VISHAY威世SI4435DDY-T1-GE3 30V P沟道MOSFET

产品种类: P沟道MOSFET

封装: SOP-8

晶体管类型: 1 P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 11.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 50 nC

工作温度: - 55℃——+ 150℃

Pd-功率耗散: 5 W

配置: Single

通道模式: 增强型

安装风格: SMD/SMT