ON安森美FQA11N90C N沟道MOSFET 900V 11A

ON安森美场效应管FQA11N90C 900V 11A N沟道MOSFET

产品种类: N沟道MOSFET

封装: TO-3P

晶体管类型: 1 N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 900 V

Id-连续漏极电流: 11 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

工作温度: - 55℃——+ 150℃

Pd-功率耗散: 300 W

N沟道MOSFET FQA11N90C具有低栅极电荷，低导通电阻，快速开关，100％的雪崩测试和改进的dv / dt能力的特点，广泛应用于高效率开关模式电源。