vishay威世SI4925DDY-T1-GE3 P沟道MOSFET

vishay威世SI4925DDY-T1-GE3 30V P沟道功率MOSFET

产品种类: P沟道MOSFET

封装: SOP-8

晶体管类型: 2 P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 8 A

Rds On-漏源导通电阻: 29 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 32 nC

工作温度: - 55℃——+ 150℃

Pd-功率耗散: 5 W

通道模式: 增强型

配置: Dual

最小包装数: 2500pcs/盘