威世VISHAY SI4488DY-T1-E3 150V N沟道MOSFET

威世VISHAY SI4488DY-T1-E3 150V N沟道MOSFET

产品种类: N沟道MOSFET

封装: SOP-8

晶体管类型: 1 N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 5 A

Rds On-漏源导通电阻: 0.05 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 30 nC

工作温度: - 55℃——+ 150℃

Pd-功率耗散: 3.1 W

N沟道MOSFET SI4488DY-T1-E3具有低漏源导通电阻，高正向转移导纳和低漏电流的特点，广泛应用于开关电源中。