NTMFS4C05NT1G MOSFET ON

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NTMFS4C05NT1G

Power MOSFET  30 V, 78 A, Single N−Channel, SO−8 FL

MOSFET NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH


型号: NTMFS4C05NT1G

制造商: ON Semiconductor 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SO-FL-8 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 30 V 

Id-连续漏极电流: 78 A 

Rds On-漏源导通电阻: 2.7 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 30 nC 

最小工作温度: - 55 ℃ 

最大工作温度: + 150 ℃ 

配置: Single Quad Drain Triple Source 

Pd-功率耗散: 33 W 

通道模式: Enhancement 

封装: Cut Tape 

包装: Reel 

系列: NTMFS4C05N  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: ON Semiconductor  

正向跨导 - 最小值: 68 S  

下降时间: 7 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 32 ns  

工厂包装数量: 1500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 21 ns  

典型接通延迟时间: 11 ns  

单位重量: 107.200 mg


NTMFS4C05NT1G Features

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low Capacitance to Minimize Driver Losses

• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant


NTMFS4C05NT1G Applications

• CPU Power Delivery

• DC−DC Converters

型号/规格

NTMFS4C05NT1G

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SO-FL-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

Vgs - 栅极-源极电压

20 V

Qg-栅极电荷

30 nC

Pd-功率耗散

33 W

下降时间

7 ns