AFT05MS031NR1 射频管 NXP

地区:广东 深圳
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AFT05MS031NR1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V

RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs


AFT05MS031NR1 Designed for mobile two--way radio applications with frequencies from

136 to 520 MHz. The high gain, ruggedness and broadband performance of

these devices make them ideal for large--signal, common source amplifier

applications in mobile radio equipment.



型号: AFT05MS031NR1 

制造商: NXP 

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 
RoHS:  无铅环保  
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: - 0.5 V, 40 V 
技术: Si 
增益: 19 dB 
输出功率: 33 W 
最小工作温度: - 40 ℃ 
最大工作温度: + 150 ℃ 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-270-2 
封装: Cut Tape 
封装: Reel 
配置: Single  
工作频率: 136 MHz to 520 MHz  
系列: AFT05MS031N  
类型: RF Power MOSFET  
商标: NXP / Freescale  
正向跨导 - 最小值: 5.8 S  
Pd-功率耗散: 294 W  
产品类型: RF MOSFET Transistors  
工厂包装数量: 500  
子类别: MOSFETs  
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 12 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 VDC  

单位重量: 529.550 mg


Features  AFT05MS031NR1

 Characterized for Operation from 136 to 520 MHz

 Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization

 Integrated ESD Protection

 Integrated Stability Enhancements

 Wideband — Full Power Across the Band:

 136--174 MHz

 380--450 MHz

 450--520 MHz

 225C Capable Plastic Package


型号/规格

AFT05MS031NR1

品牌/商标

NXP(恩智浦)

封装形式

TO-270-2

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

单件包装

功率特性

超大功率

频率特性

超高频

极性

NPN型

输出功率

33 W

工作温度

- 40 ℃

工作温度

150 ℃

Pd-功率耗散

294 W