供应NVTR4503NT1G原装 场效应管(MOSFET)

地区:广东 深圳
认证:

深圳市迅丰达电子科技有限公司

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NVTR4503NT1G原装   场效应管(MOSFET)

单N沟道功率MOSFET 30V,2.5A,110mΩ

汽车用功率MOSFET。30V,2.5A,140 mΩ,单N沟道,SOT-23,逻辑电平。通过AEC-Q101  certification的MOSFET,符合生产件批准程序(PPAP),适用于汽车应用。

特性:

Leading Planar Technolgy for Low Gate Charge/Fast Switching

$.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive

SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3x3mm)

AEC-Q101 Qualified and PPAP capable

RoHS Compliant

应用:

DC−DC Conversion

Load/Power Switch for Portables

Load/Power Switch for Computing


NVTR4503NT1G原装   场效应管(MOSFET) 的技术参数:

类型

N通道

漏源电压(Vdss)

30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.5A(Ta)

驱动电压(zui大 Rds On,zui小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(max)

110 毫欧 @ 2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(max)

3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(max)

7 nC @ 10 V

Vgs(max)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(max)

135 pF @ 15 V

功率耗散(max)

420mW(Ta)

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)



只做原装,价格优势,原盒原标,22+有需要的联系

KLMBG2JETD-B041

SAMSUNG/三星

KLMAG1JETD-B041

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KLM8G1GETF-B041

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KLM4G1FETE-B041

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K4E8E324EB-EGCF

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K4E6E304EB-EGCF

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K4E6E304EC-EGCG

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K4B4G1646E-BCNB

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K4U6E3S4AA-MGCR

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K4UBE3D4AB-MGCL

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H5AN8G6NCJR-VKC

SK HYNIX/海力士

H5AN4G6NBJR-VKC

SK HYNIX/海力士

H5AN4G6NBJR-UHC

SK HYNIX/海力士

H26M41208HPR

SK HYNIX/海力士

H26M41204HPR

SK HYNIX/海力士

MTFC8GAKAJCN-4MIT

MICRON/镁光

MTFC4GACAJCN-4MIT

MICRON/镁光

MTFC4GACAJCN-1MWT

MICRON/镁光

MT53E256M32D2DS-053WTB

MICRON/镁光

MT53D512M64D4HR-053WTD

MICRON/镁光


型号/规格

NVTR4503NT1G

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SOT-23-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装