FDMS86252L 全新原装 MOSFET

制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Power-56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Id-连续漏极电流	4.4 A
Rds On-漏源导通电阻	46 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压	1.5 V
工作温度	- 55 C to + 150 C
Pd-功率耗散	2.5 W
配置	Single
晶体管类型	1 N-Channel
正向跨导（MIN）	21 S
下降时间	2.9 ns
上升时间	1.4 ns
典型关闭延迟时间	19 ns
典型接通延迟时间	6.8 ns