供应NTD20P06LT4G原装 MOSFET

制造商

onsemi

安装风格

SMD/SMT

工作温度

- 55 C~ + 175 C（TA）

封装/箱体

TO-252-4

晶体管极性

P-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Id-连续漏极电流

15.5 A

Rds On-漏源导通电阻

143 mOhms

Vgs -栅极-源极电压

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

1 V

Qg-栅极电荷

15 nC

Pd-功率耗散

65 W

通道模式

Enhancement

配置

Single

下降时间

70 ns

正向跨导（min)

11 S