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STD80N4F6 原装 MOSFET

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市迅丰达电子科技有限公司

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STD80N4F6 原装 MOSFET

汽车级N沟道40 V、5.5 mOhm典型值、80 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装

表面贴装型 N 通道 40 V 80A（Tc） 70W（Tc） DPAK



晶体管- FET，MOSFET -单个

分立式场效应晶体管(FET)广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则IGBT等其他器件更具竞争力。




描述：

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET™

DeepGATE™technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.



STD80N4F6 原装 MOSFET 的技术参数：

制造商

STMicroelectronics

产品种类

MOSFET

RoHS

是

安装风格

SMD/SMT

封装/箱体

TO-252-3

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Id-连续漏极电流

80 A

Rds On-漏源导通电阻

6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压

4 V

Qg-栅极电荷

36 nC

（min）工作温度

- 55 C

（max）工作温度

+ 175 C

Pd-功率耗散

70 W

配置

Single

资格

AEC-Q101

系列

STD80N4F6

晶体管类型

1 N-Channel

下降时间

11.9 ns

上升时间

7.6 ns

典型关闭延迟时间

46.1 ns

典型接通延迟时间

10.5 ns


STD80N4F6 原装 MOSFET 的特征：

RDS(on) max：6毫欧

VDS ：40 V

Order code：STD80N4F6

ID：80 A

Designed for automotive applications andAEC-Q101 qualified

Low gate charge

Very low on-resistance

High avalanche ruggedness




型号/规格

STD80N4F6

品牌/商标

ST（意法半导体）

封装形式

TO-252-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装