供应NTF3055L108T1G原装 MOSFET

制造商

onsemi

安装风格

SMD/SMT

工作温度

- 55 C~+ 150 C（TA）

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Id-连续漏极电流

3 A

Rds On-漏源导通电阻

120 mOhms

Vgs -栅极-源极电压

- 5 V, + 5 V

Vgs th-栅源极阈值电压

1 V

Qg-栅极电荷

7.6 nC

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Id-连续漏极电流

3 A

Rds On-漏源导通电阻

120 mOhms

Vgs -栅极-源极电压

- 5 V, + 5 V

Vgs th-栅源极阈值电压

1 V

Qg-栅极电荷

7.6 nC