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产品属性
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IAUA180N04S5N012 原装 MOSFET
制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
技术 |
Si |
安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
HSOF-5 |
晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
40 V |
Id-连续漏极电流 |
180 A |
Rds On-漏源导通电阻 |
1.4 mOhms |
Vgs -栅极-源极电压 |
- 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 |
3.4 V |
Qg-栅极电荷 |
75 nC |
工作温度 |
- 55 C to + 175 C |
Pd-功率耗散 |
125 W |
通道模式 |
Enhancement |
封装 |
Reel |
封装 |
Cut Tape |
商标 |
Infineon Technologies |
配置 |
Single |
下降时间 |
10 ns |
湿度敏感性 |
Yes |
产品类型 |
MOSFET |
上升时间 |
5 ns |
工厂包装数量 |
2000 |
子类别 |
MOSFETs |
晶体管类型 |
1 N-Channel |
只做原装,价格优势,原盒原标 ,22+有需要的联系
MT29F64G08CBABBWPRB |
MICRON/美光 |
KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
IAUA180N04S5N012
INFINEON(英飞凌)
PG-HSOF-5
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装