供应FDG6308P 原装 MOSFET
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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FDG6308P 原装 MOSFET
双P沟道，1.8V，指定PowerTrench® MOSFET，-20 V，-0.6 A，400 mΩ
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制造商 |
onsemi |
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产品种类 |
MOSFET |
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RoHS |
是 |
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技术 |
Si |
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安装风格 |
SMD/SMT |
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封装/箱体 |
SOT-323-6 |
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晶体管极性 |
P-Channel |
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通道数量 |
2 Channel |
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Vds-漏源极击穿电压 |
20 V |
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Id-连续漏极电流 |
600 mA |
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Rds On-漏源导通电阻 |
400 mOhms |
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Vgs -栅极-源极电压 |
- 8 V, + 8 V |
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Vgs th-栅源极阈值电压 |
1.5 V |
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Qg-栅极电荷 |
2 .5nC |
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工作温度 |
- 55 C to+ 150 C |
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d-功率耗散 |
300 mW |
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通道模式 |
Enhancement |
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封装 |
Reel |
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封装 |
Cut Tape |
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配置 |
Dual |
只做原装，价格优势，原盒原标 ，22+有需要的联系
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MT29F64G08CBABBWPRB |
MICRON/美光 |
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KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
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K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
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K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
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K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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TC58NVG0S3ETAI0 |
KOXIA/铠侠 |
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TC58BVG1S3HTA00 |
KOXIA/铠侠 |
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TC58BVG0S3HTA00 |
KOXIA/铠侠 |
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NT5CC64M16GP-DII |
NANYA/南亚 |
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NT5CC64M16GP-DI |
NANYA/南亚 |
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NT5CC256M16ER-EKI |
NANYA/南亚 |
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NT5CC256M16ER-EK |
NANYA/南亚 |
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H5AN4G6NBJR-UHC |
SK HYNIX/海力士 |
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H26M41208HPR |
SK HYNIX/海力士 |
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H26M41204HPR |
SK HYNIX/海力士 |
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MTFC8GAKAJCN-4MIT |
MICRON/镁光 |
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MTFC4GACAJCN-4MIT |
MICRON/镁光 |
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MTFC4GACAJCN-1MWT |
MICRON/镁光 |
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MT53E256M32D2DS-053WTB |
MICRON/镁光 |
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MT53D512M64D4HR-053WTD |
MICRON/镁光 |
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MT53D512M32D2DS-053WTD |
MICRON/镁光 |
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MT52L512M32D2PF-107WTB |
MICRON/镁光 |
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MT52L256M32D1PF-107WTB |
MICRON/镁光 |
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FDG6308P
ON（安森美）
SOT-323-6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
