STH13N120K5-2AG 原装 MOSFET

汽车级N沟道1200 V、630 mOhm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，H2PAK-2封装

晶体管- FET，MOSFET -单个

分立式场效应晶体管(FET)广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则IGBT等其他器件更具竞争力。

STH13N120K5-2AG 原装 MOSFET 的描述：

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

STH13N120K5-2AG 原装 MOSFET 的特征：

1. Order code：STH13N120K5-2AG

2. VDS： 1200 V

3. RDS(on) max.：0.69 Ω

4. ID： 12 A

5. PTOT： 250 W

6. AEC-Q101 qualified

7. Industry’s lowest RDS(on) x area

8. Industry’s best FoM (figure of merit)

9. Ultra-low gate charge

10. 100% avalanche tested

11. Zener-protected

STH13N120K5-2AG 原装 MOSFET 的技术参数：

制造商	STMicroelectronics
产品种类	MOSFET
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装/箱体	H2PAK-2
晶体管极性	N-Channel
通道数量	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压	1.2 kV
Id-连续漏极电流	12 A
Rds On-漏源导通电阻	690 mOhms
Vgs -栅极-源极电压	- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压	3 V
Qg-栅极电荷	44.2 nC
（min）工作温度	- 55 C
（max）工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	250 W
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Reel
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
商标	STMicroelectronics
配置	Single
下降时间	18.5 ns
上升时间	11 ns
工厂包装数量	1000
子类别	MOSFETs
晶体管类型	1 N-Channel
典型关闭延迟时间	68.5 ns
典型接通延迟时间	23 ns