供应NTD25P03LT4G原装 MOSFET
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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NTD25P03LT4G原装 MOSFET
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制造商 |
onsemi |
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安装风格 |
SMD/SMT |
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工作温度 |
- 55 C~+ 150 C（TA） |
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封装/箱体 |
TO-252-4 |
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晶体管极性 |
P-Channel |
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通道数量 |
1 Channel |
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Vds-漏源极击穿电压 |
30 V |
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Id-连续漏极电流 |
25 A |
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Rds On-漏源导通电阻 |
80 mOhms |
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Vgs -栅极-源极电压 |
- 5 V, + 5 V |
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Vgs th-栅源极阈值电压 |
1 V |
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Qg-栅极电荷 |
15 nC |
只做原装，价格优势，原盒原标 ，22+有需要的联系
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MT29F64G08CBABBWPRB |
MICRON/美光 |
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KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
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K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
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K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
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K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
NTD25P03LT4G
ST（意法半导体）
TO-252-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
