供应STL50DN6F7 原装 场效应管MOSFET
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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STL50DN6F7 原装 场效应管MOSFET
Automotive, AEC-Q101, STripFET™F7
|
制造商 |
STMicroelectronics |
|
产品种类 |
MOSFET |
|
RoHS |
是 |
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技术 |
Si |
|
安装风格 |
SMD/SMT |
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封装/箱体 |
PowerFLAT-5x6-8 |
|
晶体管极性 |
N-Channel |
|
通道数量 |
2 Channel |
|
Vds-漏源极击穿电压 |
40 V |
|
Id-连续漏极电流 |
40A |
|
Rds On-漏源导通电阻 |
8.5毫欧@ 20A，10V |
|
不同Id时Vgs(th)（max） |
4V @ 250μA |
|
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（max） |
9.8nC @ 10V |
|
不同Vds时输入电容(Ciss)（max） |
637pF @ 25V |
|
工作温度 |
- 55 C to+ 175 C |
|
功率（max） |
57 W |
|
资格 |
AEC-Q101 |
|
商标名 |
STripFET™ F7 |
|
封装 |
Reel |
|
产品类型 |
MOSFET |
|
系列 |
STL64 |
|
工厂包装数量 |
3000 |
|
晶体管类型 |
2 N-Channel |
|
THGBMHG6C1LBAIL |
KIOXIA/铠侠 |
|
TC58NVG1S3HTA00 |
KIOXIA/铠侠 |
|
TC58NVG0S3HTA00 |
KIOXIA/铠侠 |
|
TC58NVG0S3ETAI0 |
KIOXIA/铠侠 |
|
TC58BVG1S3HTA00 |
KIOXIA/铠侠 |
|
NT5CC64M16GP-DII |
NANYA/南亚 |
|
NT5CC64M16GP-DI |
NANYA/南亚 |
|
NT5CC256M16ER-EKI |
NANYA/南亚 |
|
NT5CC256M16ER-EK |
NANYA/南亚 |
|
NT5CC256M16EP-EK |
NANYA/南亚 |
|
NT5CC128M16JR-EK |
NANYA/南亚 |
|
NT5AD512M16C4-HR |
NANYA/南亚 |
|
NT5AD512M16A4-HR |
NANYA/南亚 |
|
NT5AD256M16D4-HR |
NANYA/南亚 |
|
KMDX60018M-B425 |
SAMSUNG/三星 |
|
KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
|
KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
|
KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
|
K9F1G08U0E-SIB0 |
SAMSUNG/三星 |
|
K4Z80325BC-HC14 |
SAMSUNG/三星 |
|
K4G80325FC-HC25 |
SAMSUNG/三星 |
|
K4E8E324ED-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
|
K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
|
K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
|
K4E6E304ED-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
|
K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
|
K4E6E304EC-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
|
K4B4G1646E-BYMA |
SAMSUNG/三星 |
|
K4B4G0846E-BYMA |
SAMSUNG/三星 |
|
K4AAG165WA-BCWE |
SAMSUNG/三星 |
|
K4AAG165WA-BCTD |
SAMSUNG/三星 |
|
K4A8G165WC-BCTD |
SAMSUNG/三星 |
|
K4A8G165WC-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
|
K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
|
K4A4G165WF-BCTD |
SAMSUNG/三星 |
|
K4A4G165WE-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
|
H9HCNNNCPUMLHR-NME |
SK HYNIX/海力士 |
|
H9HCNNNBKMALHR-NEE |
SK HYNIX/海力士 |
|
H9HCNNN8KUMLHR-NLN |
SK HYNIX/海力士 |
|
H9CCNNNCPTALBR-NUD |
SK HYNIX/海力士 |
|
H9CCNNNBKTALBR-NUD |
SK HYNIX/海力士 |
|
H9CCNNNBJTALAR-NUD |
SK HYNIX/海力士 |
|
H9CCNNN8GTALAR-NUD |
SK HYNIX/海力士 |
|
H5TQ4G83EFR-RDC |
SK HYNIX/海力士 |
|
H5TQ4G63EFR-TEC |
SK HYNIX/海力士 |
|
H5TQ4G63EFR-RDC |
SK HYNIX/海力士 |
|
H5TQ4G63CFR-RDC |
SK HYNIX/海力士 |
|
H5TQ2G83GFR-RDC |
SK HYNIX/海力士 |
|
H5TQ2G63GFR-TEC |
SK HYNIX/海力士 |
|
H5TC4G63EFR-RDA |
SK HYNIX/海力士 |
|
H5TC2G83GFR-PBA |
SK HYNIX/海力士 |
|
H5TC2G63GFR-PBA |
SK HYNIX/海力士 |
|
H5AN8G6NCJR-VKC |
SK HYNIX/海力士 |
|
H5AN4G6NBJR-VKC |
SK HYNIX/海力士 |
|
H5AN4G6NBJR-UHC |
SK HYNIX/海力士 |
|
H26M41208HPR |
SK HYNIX/海力士 |
|
MT52L512M32D2PF-107WTB |
MICRON/镁光 |
|
MT52L256M32D1PF-107WTB |
MICRON/镁光 |
|
MT41K64M16TW-107J |
MICRON/镁光 |
|
MT41K64M16TW-107ITJ |
MICRON/镁光 |
|
MT41K512M8DA-107P |
MICRON/镁光 |
|
MT41K256M16TW-107P |
MICRON/镁光 |
|
MT41K256M16TW-107ITP |
MICRON/镁光 |
|
MT41K256M16TW-107AITP |
MICRON/镁光 |
|
MT41K128M16JT-125K |
MICRON/镁光 |
|
MT41K128M16JT-125ITK |
MICRON/镁光 |
|
MT40A512M16LY-075E |
MICRON/镁光 |
|
MT29F64G08CBABBWPRB |
MICRON/镁光 |
|
MT29F4G08ABAEAWPE |
MICRON/镁光 |
|
MT29F2G08ABAGAWP-ITG |
MICRON/镁光 |
|
MT29F2G08ABAEAWP-ITE |
MICRON/镁光 |
|
MT29F2G08ABAEAWPE |
MICRON/镁光 |
|
MT29F2G08ABAEAH4E |
MICRON/镁光 |
|
MT29F2G01ABAGDWB-ITG |
MICRON/镁光 |
|
MT53D512M64D4HR-053 WTD |
MICRON/镁光 |
|
K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
|
K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
|
K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
STL50DN6F7
ST（意法半导体）
PowerFLAT-5x6-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
