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AUIRLS3034-7TRL 原装 晶体管- FET,MOSFET -单个
类别 |
晶体管- FET,MOSFET -单个 |
制造商 |
Infineon |
系列 |
HEXFET® |
包装 |
卷带(TR) |
Product Status |
不适用于新设计 |
FET类型 |
N通道 |
技术 |
MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) |
40V |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
240A |
驱动电压(zui大Rds On,zui小Rds On) |
4.5V,10V |
不同Id、Vgs时导通电阻(max) |
1.4毫欧@ 200A,10V |
不同Id时Vgs(th)(max) |
2.5V @ 250μA |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(max) |
180 nC @ 4.5 V |
Vgs(max) |
±20V |
不同Vds时输入电容(Ciss)(max) |
10990 pF @ 40 V |
功率耗散(max) |
380W(Tc) |
工作温度 |
-55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 |
表面贴装型 |
供应商器件封装 |
D2PAK(7-Lead) |
MT29F64G08CBABBWPR:B |
MICRON/美光 |
KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
AUIRLS3034-7TRL
INFINEON(英飞凌)
TO-263-8,D2Pak(7引线+接片)
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装