MBR120LSFT1G 原装 晶体管- FET，MOSFET -单个
地区：广东 深圳
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无
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MBR120LSFT1G 原装 晶体管- FET，MOSFET -单个
表面贴装型N通道100 V 6A（Ta），26A（Tc）2.5W（Ta），48W（Tc）-55?C ~ 150?C（TJ）
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制造商 |
onsemi |
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产品种类 |
肖特基二极管与整流器 |
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RoHS |
是 |
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FET类型 |
N通道 |
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技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
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漏源电压（Vdss） |
100V |
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25?C时电流-连续漏极(Id) |
6S（TA），26A（TC） |
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驱动电压（zui大Rds On，zui小Rds On） |
6V，10V |
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不同Id、Vgs时导通电阻（max） |
34毫欧@ 6A，10V |
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不同Id时Vgs(th)（max） |
4V @ 250?A |
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不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（max） |
11 nC @ 10 V |
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Vgs（max） |
?20V |
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不同Vds时输入电容(Ciss)（max） |
645 pF @ 50 V |
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FET功能 |
- |
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功率耗散（max） |
2.5W（Ta），48W（Tc） |
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工作温度 |
-55?C ~ 150?C（TJ） |
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安装类型 |
表面贴装型 |
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供应商器件封装 |
8-PQFN（5x6） |
只做原装，价格优势，原盒原标 ，22%2B有需要的联系
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MT29F64G08CBABBWPRB |
MICRON/美光 |
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KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
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K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
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K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
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K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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TC58NVG0S3ETAI0 |
KOXIA/铠侠 |
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TC58BVG1S3HTA00 |
KOXIA/铠侠 |
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TC58BVG0S3HTA00 |
KOXIA/铠侠 |
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NT5CC64M16GP-DII |
NANYA/南亚 |
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NT5CC64M16GP-DI |
NANYA/南亚 |
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NT5CC256M16ER-EKI |
NANYA/南亚 |
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NT5CC256M16ER-EK |
NANYA/南亚 |
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H5AN4G6NBJR-UHC |
SK HYNIX/海力士 |
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H26M41208HPR |
SK HYNIX/海力士 |
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H26M41204HPR |
SK HYNIX/海力士 |
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MTFC8GAKAJCN-4MIT |
MICRON/镁光 |
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MTFC4GACAJCN-4MIT |
MICRON/镁光 |
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MTFC4GACAJCN-1MWT |
MICRON/镁光 |
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MT53E256M32D2DS-053WTB |
MICRON/镁光 |
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MT53D512M64D4HR-053WTD |
MICRON/镁光 |
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MT53D512M32D2DS-053WTD |
MICRON/镁光 |
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MT52L512M32D2PF-107WTB |
MICRON/镁光 |
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MT52L256M32D1PF-107WTB |
MICRON/镁光 |
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MBR120LSFT1G
ON（安森美）
8-PowerTDFN
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
