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产品属性
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IRF3205PBF 原装 MOSFET
制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
技术 |
Si |
安装风格 |
Through Hole |
封装/箱体 |
TO-220-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
55 V |
Id-连续漏极电流 |
110 A |
Rds On-漏源导通电阻 |
8 mOhms |
Vgs -栅极-源极电压 |
- 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 |
2 V |
Qg-栅极电荷 |
97.3 nC |
工作温度 |
- 55 C+ to 175 C |
Pd-功率耗散 |
150 W |
通道模式 |
Enhancement |
封装 |
Tube |
配置 |
Single |
产品类型 |
MOSFET |
工厂包装数量 |
1000 |
子类别 |
MOSFETs |
晶体管类型 |
1 N-Channel |
安装风格 |
Through Hole |
封装/箱体 |
TO-220-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
只做原装,价格优势,原盒原标 ,22+有需要的联系
MT29F64G08CBABBWPRB |
MICRON/美光 |
KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
IRF3205PBF
INFINEON(英飞凌)
TO-220-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装