供应IRF3205PBF 原装 MOSFET

地区:广东 深圳
认证:

深圳市迅丰达电子科技有限公司

金牌会员3年

全部产品 进入商铺

IRF3205PBF     原装    MOSFET 



制造商

Infineon

产品种类

MOSFET

RoHS

 是

技术

Si

安装风格

Through Hole

封装/箱体

TO-220-3

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Id-连续漏极电流

110 A

Rds On-漏源导通电阻

8 mOhms

Vgs -栅极-源极电压

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

2 V

Qg-栅极电荷

97.3 nC

工作温度

- 55 C+ to  175 C

Pd-功率耗散

150 W

通道模式

Enhancement

封装

Tube

配置

Single

产品类型

MOSFET

工厂包装数量

1000

子类别

MOSFETs

晶体管类型

1 N-Channel

安装风格

Through Hole

封装/箱体

TO-220-3

晶体管极性

N-Channel




只做原装,价格优势,原盒原标 ,22+有需要的联系



MT29F64G08CBABBWPRB

MICRON/美光

KLMBG2JETD-B041

SAMSUNG/三星

KLMAG1JETD-B041

SAMSUNG/三星

KLM8G1GETF-B041

SAMSUNG/三星

KLM4G1FETE-B041

SAMSUNG/三星

K4E8E324EB-EGCF

SAMSUNG/三星

K4E6E304EB-EGCF

SAMSUNG/三星

K4E6E304EC-EGCG

SAMSUNG/三星

K4B4G1646E-BCNB

SAMSUNG/三星

K4A8G165WB-BCRC

SAMSUNG/三星

K4U6E3S4AA-MGCR

SAMSUNG/三星

K4UBE3D4AA-MGCL

SAMSUNG/三星

K4UBE3D4AB-MGCL

SAMSUNG/三星



型号/规格

IRF3205PBF

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

TO-220-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装