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产品属性
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IPD50P04P4L-11 原装 MOSFET
制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
技术 |
Si |
安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-252-3 |
晶体管极性 |
P-Channel |
通道数量 |
1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
40 V |
Id-连续漏极电流 |
50 A |
Rds On-漏源导通电阻 |
17.2 mOhms |
Vgs -栅极-源极电压 |
- 16 V, + 5 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 |
1.2 V |
Qg-栅极电荷 |
45 nC |
工作温度 |
- 55 C+ 175 C |
Pd-功率耗散 |
58 W |
通道模式 |
Enhancement |
资格 |
AEC-Q101 |
封装 |
Reel |
封装 |
Cut Tape |
封装 |
MouseReel |
商标 |
Infineon Technologies |
配置 |
Single |
下降时间 |
39 ns |
高度 |
2.3 mm |
产品类型 |
MOSFET |
上升时间 |
9 ns |
工厂包装数量 |
2500 |
子类别 |
MOSFETs |
晶体管类型 |
1 P-Channel |
典型关闭延迟时间 |
46 ns |
只做原装,价格优势,原盒原标 ,22+有需要的联系
MT29F64G08CBABBWPRB |
MICRON/美光 |
KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
IPD50P04P4L-11
INFINEON(英飞凌)
PG-TO252-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装