FDN335N 全新原装 MOSFET

制造商

ON Semiconductor

产品种类

MOSFET

RoHS

是

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

SSOT-3

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Id-连续漏极电流

1.7 A

Rds On-漏源导通电阻

55 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

8 V

工作温度

- 55 C to + 150 C

Pd-功率耗散

500 mW (1/2 W)

配置

Single

通道模式

Enhancement

晶体管类型

1 N-Channel

正向跨导 （MIN）

7 S

下降时间

8.5 ns

上升时间

8.5 ns

典型关闭延迟时间

11 ns

典型接通延迟时间

5 ns