供应BSC109N10NS3G 全新原装 MOSFET
地区：广东 深圳
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无
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产品属性
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BSC109N10NS3G 全新原装 MOSFET
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
技术 | Si |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TDSON-8 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 63 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 10.9 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
Qg-栅极电荷 | 35 nC |
工作温度 | - 55 C to + 150 C |
Pd-功率耗散 | 78 W |
通道模式 | Enhancement |
商标名 | OptiMOS |
系列 | OptiMOS 3 |
封装 | Reel |
封装 | Cut Tape |
封装 | MouseReel |
商标 | Infineon Technologies |
配置 | Single |
下降时间 | 5 ns |
正向跨导 -(MIN) | 29 S |
高度 | 1.27 mm |
长度 | 5.9 mm |
产品类型 | MOSFET |
上升时间 | 7 ns |
工厂包装数量 | 5000 |
子类别 | MOSFETs |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
典型关闭延迟时间 | 19 ns |
典型接通延迟时间 | 12 ns |
宽度 | 5.15 mm |
零件号别名 | SP000778132 BSC19N1NS3GXT BSC109N10NS3GATMA1 |
单位重量 | 300 mg |
英飞凌 - 国际整流器设计功率系统
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全新原包原装可含税（香港可交）
THGBMNG5D1LBAIL
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THGBMJG6C1LBAIL
THGBMHG6C1LBAIL
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TC58BVG1S3HTA00
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MT29F4G08ABAEAWPE
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BSC109N10NS3G
INFINEON（英飞凌）
SON-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
