供应IPD90N04S4L-04 原装 场效应管

制造商

Infineon

产品种类

MOSFET

RoHS

是

安装风格

SMD/SMT

封装/箱体

TO-252-3

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Id-连续漏极电流

90 A

Rds On-漏源导通电阻

3.2 mOhms

Vgs -栅极-源极电压

20 V, 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压

1.2 V

Qg-栅极电荷

60 nC

（min）工作温度

- 55 C

（max)工作温度

+ 175 C

Pd-功率耗散

71 W

配置

Single

通道模式

Enhancement

资格

AEC-Q101

系列

OptiMOS-T2

晶体管类型

1 N-Channel

下降时间

28 ns

上升时间

11 ns

典型关闭延迟时间

22 ns

典型接通延迟时间

7 ns