供应NTJD4152PT1G原装 场效应管(MOSFET)
地区：广东 深圳
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无
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NTJD4152PT1G原装 场效应管(MOSFET)
MOSFET–Dual, P-Channel, Trench Small Signal, ESD Protected, SC-88 20 V, 0.88 A
NTJD4152PT1G原装 场效应管(MOSFET) 的技术参数：
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漏源电压(Vdss) |
20V |
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FET类型 |
2个P沟道（双） |
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FET功能 |
逻辑电平门 |
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25°C时电流-连续漏极(Id) |
880mA |
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不同Id、Vgs时导通电阻（max） |
260毫欧@ 880mA，4.5V |
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不同Id时Vgs(th)（max） |
1.2V @ 250μA |
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不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（max） |
2.2nC @ 4.5V |
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不同Vds时输入电容(Ciss)（max） |
155pF @ 20V |
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功率（max） |
272mW |
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工作温度 |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
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安装类型 |
表面贴装型 |
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封装/外壳 |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
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供应商器件封装 |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
只做原装，价格优势，原盒原标，22+有需要的联系
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KLMBG2JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLMAG1JETD-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM8G1GETF-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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KLM4G1FETE-B041 |
SAMSUNG/三星 |
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K4E8E324EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EB-EGCF |
SAMSUNG/三星 |
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K4E6E304EC-EGCG |
SAMSUNG/三星 |
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K4B4G1646E-BCNB |
SAMSUNG/三星 |
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K4A8G165WB-BCRC |
SAMSUNG/三星 |
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K4U6E3S4AA-MGCR |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AA-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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K4UBE3D4AB-MGCL |
SAMSUNG/三星 |
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H5AN8G6NCJR-VKC |
SK HYNIX/海力士 |
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H5AN4G6NBJR-VKC |
SK HYNIX/海力士 |
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H5AN4G6NBJR-UHC |
SK HYNIX/海力士 |
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H26M41208HPR |
SK HYNIX/海力士 |
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H26M41204HPR |
SK HYNIX/海力士 |
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MTFC8GAKAJCN-4MIT |
MICRON/镁光 |
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MTFC4GACAJCN-4MIT |
MICRON/镁光 |
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MTFC4GACAJCN-1MWT |
MICRON/镁光 |
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MT53E256M32D2DS-053WTB |
MICRON/镁光 |
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MT53D512M64D4HR-053WTD |
MICRON/镁光 |
NTJD4152PT1G
ON（安森美）
SC-88
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
