SSM3J334R,LF(T 场效应管MOSFET​

制造商:

Toshiba

产品种类:

MOSFET

RoHS:

是

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装/箱体:

SOT-23F-3

晶体管极性:

P-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

30 V

Id-连续漏极电流:

4 A

Rds On-漏源导通电阻:

136 mOhms

Vgs -栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

800 mV

Qg-栅极电荷:

5.9 nC

工作温度:

- 55 C to + 150 C

Pd-功率耗散:

1 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

U-MOSVI

晶体管类型:

1 P-Channel

典型关闭延迟时间:

22 ns

典型接通延迟时间:

13 ns

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

商标:

Toshiba

配置:

Single

正向跨导 (MIN):

2.3 S