供应NVMFS5C450NLWFAFT1G 原装MOSFET

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NVMFS5C450NLWFAFT1G 原装MOSFET

Power MOSFET 40 V, 2.8 m, 110 A, Single N−Channel



MOSFET

金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。  MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。




NVMFS5C450NLWFAFT1G 原装MOSFET的特征:

1. Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

2. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

3. Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

4. NVMFS5C450NLWF−Wettable Flank Option for Enhanced Optical

5. Inspection

6. AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

7. These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant



NVMFS5C450NLWFAFT1G 原装MOSFET的技术参数:

制造商

onsemi

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装/箱体

SOIC-8

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Id-连续漏极电流

110 A

Rds On-漏源导通电阻

2.8 mOhms

Vgs -栅极-源极电压

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

1.2 V

Qg-栅极电荷

35 nC

工作温度

- 55 C to + 175 C

Pd-功率耗散

68 W

通道模式

Enhancement

资格

AEC-Q101

配置

Single

下降时间

5 ns

上升时间

110 ns

系列

NVMFS5C450NL

晶体管类型

21 ns

典型关闭延迟时间

11 ns

典型接通延迟时间

750 mg


型号/规格

NVMFS5C450NLWFAFT1G

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SOIC

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装