NVMFS5C450NLWFAFT1G 原装MOSFET

Power MOSFET 40 V, 2.8 m, 110 A, Single N−Channel

MOSFET

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。 MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。

NVMFS5C450NLWFAFT1G 原装MOSFET的特征：

1. Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

2. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

3. Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

4. NVMFS5C450NLWF−Wettable Flank Option for Enhanced Optical

5. Inspection

6. AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

7. These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

NVMFS5C450NLWFAFT1G 原装MOSFET的技术参数：

制造商	onsemi
产品种类	MOSFET
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装/箱体	SOIC-8
晶体管极性	N-Channel
通道数量	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	110 A
Rds On-漏源导通电阻	2.8 mOhms
Vgs -栅极-源极电压	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压	1.2 V
Qg-栅极电荷	35 nC
工作温度	- 55 C to + 175 C
Pd-功率耗散	68 W
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
配置	Single
下降时间	5 ns
上升时间	110 ns
系列	NVMFS5C450NL
晶体管类型	21 ns
典型关闭延迟时间	11 ns
典型接通延迟时间	750 mg

型号/规格

NVMFS5C450NLWFAFT1G

品牌/商标

ON（安森美）

封装形式

SOIC

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

供应NVMFS5C450NLWFAFT1G 原装MOSFET