IRFP260N TO-247-3 mos管N沟道华芯源

型号：IRFP260N

产品属性属性值选择属性

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 48 ns
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 60 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
宽度: 5.31 mm

单位重量: 6 g

型号：IRFP260N

产品属性属性值选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 48 ns
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 60 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
宽度: 5.31 mm
单位重量: 6 g

型号/规格

IRFP260N

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

TO-247-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

圆盘

产品种类

场效应管(MOSFET)

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Id-连续漏极电流

50 A

Rds On-漏源导通电阻

40 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

- 20 V, + 20 V

温度

- 55 C~ 175 C

供应IRFP260N TO-247-3 mos管N沟道华芯源