SPD02N80C3 TO-252-2 N沟道mos管华芯源

型号：SPD02N80C3

产品属性属性值选择属性

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Qg-栅极电荷: 16 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS C3
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 18 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SP000315409 SPD02N80C3BTMA1

单位重量: 330 mg

产品属性属性值选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Qg-栅极电荷: 16 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS C3
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 18 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SP000315409 SPD02N80C3BTMA1
单位重量: 330 mg

型号/规格

SPD02N80C3

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

TO-252-2(DPAK)

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

圆盘

产品种类

MOSFET

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Id-连续漏极电流

2 A

Rds On-漏源导通电阻

2.4 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

2.1 V

供应SPD02N80C3 TO-252-2 N沟道mos管华芯源