供应FDV303N SOT23场效应管mos管N沟道

单位重量: 8 mg

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 680 mA
Rds On-漏源导通电阻: 450 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 650 mV
Qg-栅极电荷: 2.3 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
通道模式: Enhancement
系列: FDV303N
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 8.5 ns
正向跨导 - 小值: 1.45 S
高度: 1.2 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.5 ns
15000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
宽度: 1.3 mm
零件号别名: FDV303N_NL
单位重量: 8 mg

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 680 mA
Rds On-漏源导通电阻: 450 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 650 mV
Qg-栅极电荷: 2.3 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
通道模式: Enhancement
系列: FDV303N
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 8.5 ns
正向跨导 - 小值: 1.45 S
高度: 1.2 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.5 ns
15000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
宽度: 1.3 mm
零件号别名: FDV303N_NL
单位重量: 8 mg