供应IPP320N20N3G TO-220-3场效应管

型号：IPP320N20N3G

型号：IPP320N20N3G

产品属性 属性值 选择属性

单位重量: 2 g

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 34 A
Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 136 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS 3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 小值: 27 S
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: OptiMOS 3 Power-Transistor
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
宽度: 4.4 mm
零件号别名: SP000677842 IPP32N2N3GXK IPP320N20N3GXKSA1
单位重量: 2 g

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 34 A
Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 136 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS 3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 小值: 27 S
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: OptiMOS 3 Power-Transistor
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
宽度: 4.4 mm
零件号别名: SP000677842 IPP32N2N3GXK IPP320N20N3GXKSA1
单位重量: 2 g