NCV8406ADTRKG DPAK MOSFET管

型号：NCV8406ADTRKG

产品属性属性值选择属性

制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 14 V, + 14 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: -
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.31 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: NCV8406A
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 692 ns
产品: Driver ICs - Various
产品类型: MOSFET
上升时间: 486 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Low Side
典型关闭延迟时间: 1600 ns
典型接通延迟时间: 127 ns

单位重量: 351 mg

型号：NCV8406ADTRKG

产品属性属性值选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 14 V, + 14 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: -
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.31 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: NCV8406A
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 692 ns
产品: Driver ICs - Various
产品类型: MOSFET
上升时间: 486 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Low Side
典型关闭延迟时间: 1600 ns
典型接通延迟时间: 127 ns
单位重量: 351 mg

型号/规格

NCV8406ADTRKG

品牌/商标

ON（安森美）

封装形式

DPAK-3 (TO-252-3)

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

圆盘

产品种类

MOSFET

封装 / 箱体

DPAK-3 (TO-252-3)

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

65 V

Id-连续漏极电流

7 A

Rds On-漏源导通电阻

210 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

- 14 V, + 14 V

供应NCV8406ADTRKG DPAK MOSFET管