SI4435FDY-T1-GE3 SOIC-8 MOS管P沟道

型号：SI4435FDY-T1-GE3

产品属性属性值选择属性

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 12.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 13.5 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 4.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 小值: 25 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 26 ns

单位重量: 750 mg

型号：SI4435FDY-T1-GE3

产品属性属性值选择属性

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 12.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 13.5 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 4.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 小值: 25 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
单位重量: 750 mg

产品属性属性值选择属性
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 12.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 13.5 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 4.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 小值: 25 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
单位重量: 750 mg

型号/规格

SI4435FDY-T1-GE3

品牌/商标

Vishay/威世

封装形式

SOIC-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

圆盘

功率特征

大功率

温度

- 55 C~150 C

Pd-功率耗散

4.8 W

Qg-栅极电荷

13.5 nC

Vgs - 栅极-源极电压

- 20 V, + 20 V

Rds On-漏源导通电阻

30 mOhms

Id-连续漏极电流

12.6 A

Vds-漏源极击穿电压

30 V

供应SI4435FDY-T1-GE3 SOIC-8 MOS管P沟道