BSC084P03NS3 G TDSON-8 MOSFET管

型号：BSC084P03NS3 G

产品属性属性值选择属性

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 78.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.1 V
Qg-栅极电荷: 57.7 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS P3
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 小值: 33 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 134 ns
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: SP000473020 BSC84P3NS3GXT BSC084P03NS3GATMA1
单位重量: 100 mg

型号：BSC084P03NS3 G
型号：BSC084P03NS3 G

型号：BSC084P03NS3 G

产品属性属性值选择属性

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 78.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.1 V
Qg-栅极电荷: 57.7 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS P3
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 小值: 33 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 134 ns
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: SP000473020 BSC84P3NS3GXT BSC084P03NS3GATMA1

单位重量: 100 mg

型号/规格

BSC084P03NS3 G

品牌/商标

Infineon(英飞凌)

封装形式

TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

圆盘

功率特征

中功率

晶体管极性

P-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Id-连续漏极电流

78.6 A

Rds On-漏源导通电阻

6.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

- 25 V, + 25 V

温度

- 55 C~150 C

供应BSC084P03NS3 G TDSON-8 MOSFET管