供应NTJD5121NT1G SOT23 ON 场效应管

NTJD5121NT1G SOT23 ON 场效应管
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
295 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
小工作温度
- 55 C
大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
NTJD5121N
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
下降时间
32 ns
上升时间
34 ns
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
6 mg
可售卖地
全国
型号
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G
NTJD5121NT1G SOT23 ON 场效应管
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