IPP60R099P6 TO-220 INFINEON 场效应管

IPP60R099P6 TO-220 INFINEON 场效应管
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
37.9 A
Rds On-漏源导通电阻
89 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Qg-栅极电荷
70 nC
小工作温度
- 55 C
大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
下降时间
5 ns
高度
15.65 mm
长度
10 mm
上升时间
10 ns
系列
CoolMOS P6
晶体管类型
1 N-Channel
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
20 ns
宽度
4.4 mm
零件号别名
SP001114650 IPP60R099P6XKSA1
单位重量
2 g
可售卖地
全国
型号
IPP60R099P6 IPP60R099P6
IPP60R099P6 TO-220 INFINEON 场效应管
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