IRF9540SPBF D2PAK MOS管P沟道

型号：IRF9540SPBF

产品属性属性值选择属性

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 19 A
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 61 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
系列: IRF
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 57 ns
正向跨导 - 小值: 6.2 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 73 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 16 ns

单位重量: 330 mg

型号：IRF9540SPBF

产品属性属性值选择属性
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 19 A
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 61 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
系列: IRF
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 57 ns
正向跨导 - 小值: 6.2 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 73 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
单位重量: 330 mg

型号/规格

IRF9540SPBF

品牌/商标

VISHAY(威世)

封装形式

D2PAK

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

管装

产品种类

MOSFET

晶体管极性

P-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Id-连续漏极电流

19 A

Rds On-漏源导通电阻

200 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

- 20 V, + 20 V

温度

- 55 C~175 C

供应IRF9540SPBF D2PAK MOS管P沟道