供应C2M0160120D TO-247-3 mos管N沟道

地区:广东 深圳
认证:

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型号:C2M0160120D

型号:C2M0160120D

产品属性 属性值 选择属性

制造商: Wolfspeed
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 17.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 196 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 32.6 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Wolfspeed
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 小值: 4.1 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 7 ns

单位重量: 6 g




型号:C2M0160120D

型号:C2M0160120D

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Wolfspeed
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 17.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 196 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 32.6 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Wolfspeed
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 小值: 4.1 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 6 g




产品属性 属性值 选择属性
制造商: Wolfspeed
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 17.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 196 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 32.6 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Wolfspeed
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 小值: 4.1 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 6 g

型号/规格

C2M0160120D

品牌/商标

CREE/科锐

封装形式

TO-247-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

产品种类

MOSFET

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

1.2 kV

Id-连续漏极电流

17.7 A

Rds On-漏源导通电阻

196 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

- 5 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

2.5 V