供应C2M0080120D TO-247-3 mos管N沟道

型号：C2M0080120D

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宽度: 5.21 mm

型号：C2M0080120D

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产品属性 属性值 选择属性
制造商: Wolfspeed
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 31.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 98 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 71 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 208 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Wolfspeed
配置: Single
下降时间: 21 ns
正向跨导 - 小值: 3.9 S
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
产品: Power MOSFETs
产品类型: MOSFET
上升时间: 34 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Silicon Carbide Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 23.2 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
宽度: 5.21 mm

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制造商: Wolfspeed
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 31.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 98 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 71 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 208 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Wolfspeed
配置: Single
下降时间: 21 ns
正向跨导 - 小值: 3.9 S
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
产品: Power MOSFETs
产品类型: MOSFET
上升时间: 34 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Silicon Carbide Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 23.2 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
宽度: 5.21 mm