电源设计小贴士42：可替代集成MOSFET的分立器件

在电源设计中，工程师通常会面临控制IC驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制IC功耗过大的...

日期：2012-04-26

电源设计小贴士31：同步降压 MOSFET电阻比的正确选择

在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处...

日期：2011-12-01

500 V／8 A高压、大电流VDMOSFET的设计与研制

O 引言 随着半导体生产制造工艺的不断改进，器件模拟和工艺模拟的与实际工艺流程的...

日期：2011-08-28

分析变流器器件MOSFET与IGB性能

有关变流器的器件－MOSFET和IGBT。MOSFET和IGBT是当前变流器中应用最广泛，最重要的两类器件。MOSFET主要应...

日期：2011-08-27

介绍在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较

随着电力电子技术的高速发展，电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切，而电子...

日期：2011-08-27

提升电源转换效率的自定时电压检测同步MOSFET控制方案

现代电子设备功能越来越多，设备功能的高功耗对环境的影响也越来越大。提高电源效率是...

日期：2011-08-27

基于MOSFET在电源转换领域中的设计与应用

自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压...

日期：2011-08-26

MOSFET在安全系统中的完美实现

随着化的加剧，竞争日益激烈，各个公司在提高生产效率的同时，不断引进新的生产设备，虽然提高了生产设备的...

日期：2011-08-19

提供低损耗大功率的MOSFET

硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量，从而造成电源效率的...

日期：2011-08-01

估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升

我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。一种估算热插...

日期：2011-07-22

完全自保护MOSFET功率器件

随着科学技术的发展，越来越多的功能应用于汽车当中，功率器件应用到汽车当真，对功率...

日期：2011-07-21

使用于嵌入式功率系统的先进100V MOSFET器件

高效的AC/DC SMPS与DC/DC转换器是现代功率架构的主干，用於驱动诸如电信或计算机此类系统。为了满足市场对...

日期：2011-07-10

MOSFET在单通道降压转换器驱动投影仪的RGB LED客户中的应用

本应用笔记提供了一个低功耗投影仪RGB LED驱动器的参考设计。基于单芯片MAX16821构建...

日期：2011-04-06

利用MOSFET降低传导和开关损耗

金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor F...

日期：2011-03-29

LTC4446：N沟道MOSFET驱动器

描述　　LTC4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V ...

日期：2011-02-21

LTC4444-5：MOSFET驱动器

描述　　LTC®4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和...

日期：2011-02-21

详解MOSFET的驱动技术及应用

MOSFET作为功率开关管，已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱...

日期：2011-01-14

估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 2 部分

在本《电源设计小贴士》中，我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研...

日期：2011-01-10

估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 1 部分

在本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单...

日期：2011-01-06

低导通电阻MOSFET提升数据中心效率

飞兆半导体推出的导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是RDS(ON)值为0.99...

日期：2010-12-29

集成MOSFET和高边电流检测的LED驱动器—MAX16832A/MAX16832C

MAX16832A/MAX16832C是降压恒流高亮度LED (HB LED)驱动器，为汽车内部/外部照明、建筑和环境照明、LED灯泡...

日期：2010-12-08

为具体应用恰当的选择MOSFET的技巧

鉴于MOSFET技术的成熟，为设计选择一款MOSFET表面上看是十分简单的事情。虽然工程师都...

日期：2010-12-06

高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器FOD3184简介

FOD3184是一款输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器产品。FOD3184由铝砷化...

日期：2010-11-18

内置高压MOSFET电流模式PWM+PFM控制器—SD686X

SD686X是用于开关电源的内置高压MOSFET电流模式PWM+PFM控制器系列产品。　　该电路待...

日期：2010-10-26

功率MOSFET的开关损耗之探讨

本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程...

日期：2010-09-27

反激式电源中MOSFET的钳位电路

输出功率100W以下的AC/DC电源通常都采用反激式拓扑结构。这种电源成本较低，使用一个...

日期：2010-09-17

Panasonic电工PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器的概要

b触点型“PhotoMOS”的开发随着PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器的优势被广泛了解，人们...

日期：2010-08-27

反激式电源中MOSFET的箝位电路

输出功率100W以下的AC/DC电源通常都采用反激式拓扑结构。这种电源成本较低，使用一个...

日期：2010-08-26

基于功率MOSFET的激光器外触发系统研制

为了推动微波功率合成技术的发展，需要开展多路同步输出的脉冲功率源开关关键技术研究，以实现电子束同步(...

日期：2010-08-18

MOSFET驱动器介绍及功耗计算

我们先来看看MOS关模型：　　Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同...

日期：2010-08-14