内置高耐压低导通电阻MOSFET的降压型1ch DC/DC转换器
ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功...
日期：2017-12-25
开关电源之MOSFET管的关断缓冲电路的设计详解
在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损...
日期：2017-12-07
详解MOSFET与IGBT的本质区别
日期：2017-11-27
一篇文章读懂超级结MOSFET的优势
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET...
日期：2017-08-03
三分钟读懂超级结MOSFET
基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(...
日期：2017-08-02
MOSFET结构及其工作原理详解
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET...
日期：2017-05-16
功率器件心得——功率MOSFET心得
功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此，要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近...
日期：2016-12-05
关于MOSFET管驱动电路总结
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，电...
日期：2016-10-14
MOSFET半桥驱动电路设计要领
1 引言 MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了...
日期：2016-10-09
半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案
在节能环保意识的鞭策及世界各地能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激...
日期：2016-08-22
相移零电压开关全桥DC/DC转换器中的MOSFET行为
在过去几年中，对于具有足够高效率管理大功率的系统的市场需求推动SMPS设计师开发出具有低电气损耗的拓扑。...
日期：2016-08-10
步进电机的MOSFET管驱动设计
H桥功率驱动电路可应用于步进电机、交流电机及直流电机等的驱动。永磁步进电机或混合式步进电机的励磁绕组...
日期：2016-06-06
MOSFET和三极管ON状态有什么区别？
MOSFET和三极管，在ON状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极...
日期：2016-05-10
基于大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
1.MOSFET栅极驱动电平的上升时间和下降时间功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优...
日期：2016-05-05
MOSFET在开关电源中常见的失效原因及解决办法
本文先对mos失效的原因总结以下六点，然后对1,2重点进行分析： 1：雪崩失效（电压失效），也就是我们常...
日期：2016-04-22
如何避免LLC谐振转换器中的MOSFET出现故障
为了降低能源成本，设备设计人员正在不断寻找优化功率密度的新方法。通常情况下，电源...
日期：2016-04-18
完全自保护MOSFET功率器件分析
为了提高系统可靠性并降低保修成本，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，以免器件...
日期：2016-04-13
功率MOSFET在正激式驱动电路中的应用简析
功率MOSFET在目前一些大功率电源的产品设计中得到了广泛的应用，此前本文曾经就几种常...
日期：2016-03-31
Diodes - 100V MOSFET H桥采用5mm x 4.5mm封装 有效节省占位面积
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的100V全H桥DMHC10H170SFJ，把双N通道及P通...
日期：2016-03-01
英飞凌推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005
2015年12月11日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进...
日期：2015-12-15
如何降低MOSFET损耗并提升EMI性能
摘要： 本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法；并且阐述了优化...
日期：2015-09-18
MOSFET选型注意事项及应用实例
MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于：首...
日期：2015-01-04
封装寄生电感是否会影响MOSFET性能？
I.引言 高效率已成为开关电源（SMPS）设计的必需要求。为了达成这一要求，越来越多许多功率半导体研究人...
日期：2014-12-17
IR针对锂离子电池保护推出全新功率MOSFET
功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 近日...
日期：2014-12-04
ST发布650V超结MOSFET
意法半导体（STMicroelectronics,简称ST的超结 （super-junction） 功率MOSFET满足家...
日期：2014-12-03
IR扩充工业用StrongIRFET系列新增75V MOSFET
功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司（International Rectifier,简称IR） 近日...
日期：2014-11-14
IR推出75V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列
功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 近...
日期：2014-10-29
IR新型功率MOSFET为小功率电机提供基准性能
功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 宣布...
日期：2014-10-14
基于功率MOSFET的锂电池保护电路设计
铅酸电池具有安全、便宜、易维护的特点，因此目前仍然广泛的应用于电动自行车。但是铅...
日期：2014-09-05
IR新推为DC-DC应用提供卓越效率的双功率MOSFET
国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 推出IRFHE4250D FastIRFET双功率...
日期：2014-08-15
