英飞凌30V车用MOSFET 具备通态电阻
英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球通态电阻的30V功率MOSFET（金属氧化物半导体...
日期：2010-08-09
MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。...
日期：2010-07-30
提高功率CMOS器件功效可用MOSFET方案
三十多年来，本本体硅(bulk silicon)MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要CMOS工艺...
日期：2010-07-08
英飞凌推出全新650V CoolMOS C6/E6高压功率MOSFET
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650VCoolMOSC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器...
日期：2010-07-05
MOSFET与预驱动器的匹配技巧
汽车应用中电气负载的数量及种类众多，在驱动及控制这些负载方面，没有“”的方案。有...
日期：2010-07-01
基于功率MOSFET设计考量
用作功率开关的MOSFET 随着数十年来器件设计的不断优化，功率MOSFET晶体管带来了新...
日期：2010-06-04
用电流检测和MOSFET提升输出电流
以前有篇设计实例描述了一种可编程电流源，使用的是美国国家半导体公司的LM317可调三端稳压器（参考文献1）...
日期：2010-06-02
MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量...
日期：2010-05-27
Fairchild推出超紧密薄型封装高性能MicroFET MOSFET系列产品
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)近日推出采用超紧密薄型封装的高性能MicroFETMOSFET系列产品，能够...
日期：2010-05-25
对浪涌电流导致的MOSFET发热的仿真分析
在大多数应用中，虽然机电继电器在历史上一直是主要的负载开关，但随着技术进步，MOSF...
日期：2010-05-18
电压高（120VP-P）的功率MOSFET放大器
电路的能功 要使放大后的波形与输入波形相似，放大电路必须采用对称电路，而且有源元件的特性要一致。本...
日期：2010-05-14
高频特性得到改善的功率MOSFET放大器
电路的功能 用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使...
日期：2010-05-14
Vishay推出采用芯片级MICRO FOOT封装的功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFE...
日期：2010-05-10
IR发布二款DirectFET MOSFET芯片组
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF...
日期：2010-04-19
DC/DC电源管理应用中的功率MOSFET的热分析方法
电子系统的小型化趋势对电子产业产生了一系列重要影响，其中，合理的热设计和优化的重要性与日俱增。现在的...
日期：2010-04-16
安森美半导体集成肖特基二极管的30V MOSFET问世
安森美半导体(ONSemiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30V产品。NTMFS48...
日期：2010-04-12
基于MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。...
日期：2010-04-07
理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量...
日期：2010-04-06
飞兆N沟道WL-CSP MOSFET延长便携应用电池寿命
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工...
日期：2010-04-01
飞兆半N沟道WL-CSP MOSFET能在便携应用中延长电池寿命
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工...
日期：2010-03-18
半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择：变压器还是硅芯片
在节能环保意识的鞭策及世界各地能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激...
日期：2010-03-17
TI出具有同步MOSFET控制输出的全新环保型相移全桥控制器
日前，德州仪器(TI)宣布推出一款具备同步MOSFET控制输出与轻负载电源管理功能的相移全桥PWM控制器UCC28950...
日期：2010-03-01
开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃
功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点，已经成为开关电源（switch-modepowersupplies，SMPS）整...
日期：2010-02-26
Maxim推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器
Maxim推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054。该器件能够为需要采用降压或升降...
日期：2010-02-21
凌力尔推出高速同步 MOSFET 驱动器
凌力尔特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑...
日期：2010-02-04
LM4702驱动MOSFET输出级
美国国家半导体公司引言本应用注释提供了关于美国国家半导体最新的高性能、超高保真的音频放大器驱动IC的设...
日期：2010-01-21
Toshiba推出低导通电阻快速开关30V MOSFET
Toshiba美国电子元器件公司（TAEC）推出6器件采用TSON先进封装的30V MOSFET系列。这些新器件用于同步DC-DC...
日期：2010-01-20
国半功率MOSFET简介及其应用
引言目前现售的高压功率MOSFET是一种N-沟道、增强型、双扩散、金属氧化硅场效应晶体管。它们和NPN双极型晶...
日期：2010-01-19
TI高电流DC/DC应用的功率MOSFET显著降低上表面热阻
日前，德州仪器(TI)宣布面向高电流DC/DC应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET产品系列...
日期：2010-01-15
安森美推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET
安森美半导体(ONSemiconductor)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC-Q101...
日期：2009-12-25
