Fairchild推出超紧密薄型封装高性能MicroFET MOSFET系列产品

　　飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出采用超紧密薄型封装的高性能MicroFET MOSFET系列产品，能够满足可携式产品设计人员对于效率更高、外形更小更薄的解决方案需求；透过飞兆先进的PowerTrench MOSFET制程技术，实现了更低功耗与传导损耗等性能优势。

　　由于此一先进的MicroFET MOSFET产品组合，设计人员便能挑选适合其应用和设计需求的MicroFET MOSFET产品。新的系列产品备有数种常用的拓扑选择，包括单P信道和萧特基二极管组合、单N信道和肖特基二极管组合、双P信道、双N信道、互补对(complementary pair)、单N信道和单P信道组件。

　　这些MicroFET MOSFET采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET制程技术，能够实现非常低的RDS(ON)、整体闸极电荷(QNsub>G)和米勒电荷(QGD)，因而获得出色的传导和开关性能及热效率。相较于传统的MOSFET封装，其先进的MicroFET封装提供了出色的功耗和传导损耗特性。

　　飞兆快捷半导体可提供广泛且具有增强热性能的超紧密薄型1.6mm×1.6mm和2mm×2mm MicroFET组件。这些易于使用、节省空间的高性能MOSFET能够作为可携式应用的理想选择。