MagnaChip 40V MOSFET用于液晶电视背光模组
MagnaChip半导体有限公司宣布推出5个型号(MDS5753E，MDD9754，MDS9754，MDD3754，MDS3754)的40VMOSFET用于...
日期：2009-06-19
Vishay推出IGBT/MOSFET驱动器VO3120/50A
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已有的光耦产品线。此...
日期：2009-06-12
应用零电压MOSFET设计常开负载开关降低功耗
随着供电电压的降低和绿色能源的普及，设计者应该重新检查电路中持续耗电的部分，从而降低整个系统的能耗。...
日期：2009-06-09
ST推出全新系列功率MOSFET晶体管适用于设计液晶显示器
日前，意法半导体推出全新系列功率MOSFET晶体管，新产品的击穿电压更高，抗涌流能力更强，电能损耗更低，特...
日期：2009-06-02
功率MOSFET应用于开关电源注意的问题
功率MOSFET应用于开关电源时应注意以下几个问题。（1）栅极电路的阻抗非常高，易翼静电损坏。（2）直流输入...
日期：2009-02-25
功率MOSFET场效应管的特点
功率MOS场效应晶体管全称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effe...
日期：2009-02-25
Vishay推出功率MOSFET肖特基二极管SiB800EDK
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出业界最小的20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二极管SiB800EDK，该器件...
日期：2009-01-13
P通道MOSFET管和和双电源监测电路
采用P通道MOSFET功率管作为电源分配开关，双电源监测电路控制系统的上电和掉电顺序。...
日期：2009-01-09
采用P通道MOSFET管和电源监测电路
如果选用没有稳定状态输出（PG）功能的DC/DC，则可以外部增加1个电源监测（SVS）器件...
日期：2009-01-09
采用P通道MOSFET管和具有稳定标识的DC/DC
这种方法相对其他方法具有原理简单、增加辅助器件少的特点，通过采用P通道MOSFET管和...
日期：2009-01-09
飞兆针对便携应用推出MOSFET器件FDZ391P
为满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求，飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出采用1×1.5×...
日期：2008-11-10
IR推出沟道型HEXFET功率MOSFET系列
国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)宣布推出具有基准低通态电阻(RDS(on))的沟道型HEXFET功率M...
日期：2008-11-05
Vishay推出新型功率MOSFET SiR476DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件，从而扩展了其Gen III...
日期：2008-10-27
功率MOSFET集成驱动电路设计
IR2130的内部结构如图3－2所示。由图可见，IR2130内部集成有一个电流比较器CC、一个电流放大器CA、一个自身...
日期：2008-10-25
国半推出多款SIMPLE SWITCHER控制器及首套MOSFET筛选工具
美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation,NS)宣布推出一系列全新的SIM...
日期：2008-10-23
PWM DC/DC转换器MOSFET的主要特性和参数
1）静态特性及参数 （1）输出特性：MOSFET的输出特性如图所示，其特点是栅一源电压UGS控制漏极电流ID。...
日期：2008-10-07
ST推出更高能效SuperMESH3功率MOSFET
意法半导体进一步提高照明镇流器功率MOSFET晶体管的耐受能力、开关性能和能效，功率MO...
日期：2008-09-25
使用驱动功率MOSFET栅极的专用IC
到目前为止的实验，如果只从响应特性上看，功率MOSFET的驱动都落在了如何使用晶体管互...
日期：2008-09-11
射极跟随器时的功率MOSFET的驱动
功率MOSFET的驱动当然色可使明射极跟随器。最近，制作了很多使用功率MOSFET的高速开关电源。观察开关电源用...
日期：2008-09-10
开路集电极时的功率MOSFET的驱动
晶体管开路集电极组成的电路是最基本的开关电路。图1所示的74系列TTL的开路集电极上附...
日期：2008-09-10
250W级功率MOSFET的门驱动电路
前面实验的功率MOSFET是漏极损耗15OW的器件。下面，针对大容量的功率MOSFET进行实验。...
日期：2008-09-10
150W级功率MOSFET的门驱动电路
作为高速的开关器件，功率MOSFET比较被注目。要充分地使用它，就必须非常清楚其门驱动...
日期：2008-09-10
Vishay推出PowerPAK SC-75封装p通道功率MOSFET系列
日前，Vishay宣布推出采用PowerPAKSC-75封装的p通道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于8V～30V的多个...
日期：2008-08-22
MOSFET管并联应用
MOSFET管并联工作时,需要考虑两个问题:1)满载时,并联器件完全导通时的静态电流分配是否均衡.2)通断转换过程...
日期：2008-08-20
MOSFET驱动电路的选择
MOSFET驱动电路的选择:1、IR21系列:因为主电路的MOSFET开关频率要达到100KHz,原先IR21系列的最短开通关断的...
日期：2008-08-20
PAM推出内置MOSFET高压30瓦LED驱动器PAM2842
PAM(PowerAnalogMicroelectronics)推出内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,采用台积电的双极型CMOS-DMOS(BCD)工...
日期：2008-08-20
适合MOSFET要求的带焊球晶片技术
----设计者必须平衡空间及功率上的限制,来获得便携式设备所要求的更大的电流和更低的导通电阻新一代的微处...
日期：2008-08-18
PAM新推内置MOSFET管并输出30瓦的高功率LED驱动器PAM2842
PAM(PowerAnalogMicroelectronics)公司,一家研发创新D类数字音频功放和高功率LED显示驱动器芯片公司,今天发...
日期：2008-08-16
IR推出25V同步降压转换器DirectFET MOSFET芯片组
国际整流器公司(InternationalRectifier，IR)针对高频和高效率DC-DC应用，推出25V同步降压转换器DirectFETM...
日期：2008-08-14
PAM推出PAM2842内置MOSFET高压30瓦LED驱动器
PAM(PowerAnalogMicroelectronics)推出内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,采用台积电的双极型CMOS-DMOS(BCD)工...
日期：2008-08-14
