PAM推出内置MOSFET高压30瓦LED驱动器PAM2842

时间:2008-08-20
  PAM(Power Analog Microelectronics)推出内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,采用台积电的双极型CMOS-DMOS(BCD)工艺制成。具有从5.5V 到40V很宽的输入电压范围,它是一个非常灵活的LED驱动器,可以工作于升压、降压、升降压(SEPIC)三种工作方式。它可以利用内置的MOSFET来驱动10个3瓦的LED,或者30个1瓦的LED。由于它在很宽的电压范围内的恒流特性和95%以上的效率,使它不论是在输入电压跌落或很高的环境温度时,都能正常工作。因为利用了台积电的40伏BCD工艺,和PAM公司已申请的,它还集成了一个功率MOSFET管。其他的功能还包括过流保护、过压保护、欠压锁定和过温保护,使它可以避免性损坏,也保护了它所驱动的LED。PAM2842是用40脚 QFN (6mm x 6mm) 封装或TSSOP-20 封装。它特别适用于家庭照明、汽车照明、显示器背光和太阳能照明等应用。

  PAM公司的总裁和执行官陈建璋说:"这个创新的高功率LED驱动器具有很宽的输入电压,从5V的电池一直到40V的汽车,满足了很多不同的照明应用场合。尤其是当它用于太阳能供电的恒流直流变换器,PAM2842可以给出30W的功率以满足这个快速发展的节能市场。"

  PAM2842现在已经批量生产。

  



  
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