日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界的20V n通道功率MOSFET＋肖特基二极管SiB800EDK，该器件采用1.6mm×1.6mm的热增强型PowerPAK SC-75封装。这款新型器件的推出，意味着Vishay将其在100mA时具有0.32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至1.5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合。
当便携式电子设备变得越来越小时，元件的大小变得至关重要。凭借超小的占位面积，Vishay的SiB800EDK比采用2mm×2mm封装的器件小36%，同时具有0.75mm的超薄厚度。Vishay此番将两个元件整合到一个封装中不仅节省了空间，而且包含沟槽肖特基二极管可保持较低的正向电压，从而降低了电平位移应用中的压降。
SiB800EDK具有0.960(1.5V VGS时)～0.225(4.5V VGS时)的低导通电阻范围。1.5V时的低导通电阻额定值可使MOSFET与低电平时的信号一同使用。
该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3播放器及智能电话等便携式设备的I2C接口与升压转换器中的电平位移转换。
SiB800EDK具有ESD保护，并且100%无铅(Pb)，无卤素，以及符合RoHS，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。
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