东芝推出了低导通电阻快速转换的30V MOSFET
东芝美国电子元器件公司(TAEC)提供采用TSON封装的6个器件30V MOSFET。这些新器件可用于同步DC-DC转换器应用...
日期：2009-12-17
短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究
近年来随着介观物理和纳米电子学对散粒噪声研究的不断深入，人们发现散粒噪声可以很好...
日期：2009-12-17
意法推出通态电阻仅650V的全新功率MOSFET
意法半导体推出一款全新功率 MOSFET产品，为设计工程师带来更多选择。新产品 STW77N65M5采用意法半导体的超...
日期：2009-12-16
Vishay推出新款20V P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm...
日期：2009-12-12
Diodes推出为VoIP应用优化的全新MOSFET
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为*(VoIP)通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路...
日期：2009-12-07
针对应用选择正确的MOSFET驱动器
目前，现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多，这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有...
日期：2009-12-04
士兰微电子即将推出内置高压MOSFET节能电源控制器
杭州士兰微电子即将推出应用于开关电源的内置高压MOSFET、电流模式PWM+PFM控制器——SD486X系列芯片。该系...
日期：2009-11-17
场效应管（MOSFET）检测方法与经验
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向...
日期：2009-11-14
理解功率MOSFET的RDS（ON）温度系数特性
通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。...
日期：2009-11-09
士兰微电子推出一款应用于开关电源的内置高压MOSFET、电流模式PWM控制器
士兰微电子最近成功推出了一款应用于开关电源的内置高压MOSFET、电流模式PWM控制器——SD484X系列。该系列...
日期：2009-11-05
安森美半导体推出24款新的高密度沟槽MOSFET
安森美半导体(ONSemiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半...
日期：2009-11-02
安森美推出24款新的30伏、N沟道沟槽MOSFET
全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Tren...
日期：2009-10-29
关于MOSFET的双峰效应量化评估研究
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal－Oxide－Semiconductor Field－Effect Transisto...
日期：2009-10-15
Fairchild推出WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出1mmx1mmWL-CSP封装20VP沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设...
日期：2009-09-26
MagnaChip推出8种600V MOSFET
近日，MagnaChip半导体推出8种600V电力金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。 此次推出的电力用金氧半...
日期：2009-09-24
Vishay推出低导通电阻新型20V P沟道功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出一款业界导通电阻的新型20VP沟道功率MOSFET——SiB457EDK，这...
日期：2009-09-16
Toshiba 推出3.3mmx3.3mm TSON封装的低导通电阻大电流MOSFET
东芝美国电子元器件公司（TAEC）近日推出Toshiba公司的TSONAdvanceMOSFET封装，采用薄的、紧凑型3.3mmx3.3m...
日期：2009-09-12
飞兆半导体采用Power 56封装的MOSFET器件
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON)低...
日期：2009-09-07
采用射频功率MOSFET设计功率放大器
1. 引言 本文设计的50MHz/250W 功率放大器采用美国APT公司生产的推挽式射频功率MOS...
日期：2009-09-03
Vishay发布低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用双面冷却、导通电阻的60V器件——SiE876DF。新的SiE876DF...
日期：2009-09-02
IR基准工业级30V MOSFET提供非常低的栅极电荷
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列获得工业的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，为...
日期：2009-08-28
业界导通电阻的60V TrenchFET功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出采用双面冷却、导通电阻的60V器件---SiE876DF。新的SiE876DF采用...
日期：2009-08-27
飞兆半导体推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出1mmx1mmWL-CSP封装20VP沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设...
日期：2009-08-21
Vishay推出首款采用1.6mm×1.6mm占位的30V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAK SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFE...
日期：2009-08-19
Diodes推出适合LCD背光应用的新型MOSFET器件
Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新...
日期：2009-08-12
Vishay推出新型500V功率MOSFET系列产品
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET——SiHP18N50C...
日期：2009-08-03
Vishay推出业内导通电阻N沟道MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出具有业内导通电阻的新款N沟道MOSFET器件---SiR494DP，将该系列...
日期：2009-07-29
NXP推出N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品
恩智浦半导体(NXPSemiconductors，由飞利浦创立的独立半导体公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V...
日期：2009-07-14
飞兆半导体双MOSFET器件为同步降压应用提供高效率和高功率密度
日前，飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)为设计人员带来业界领先的双MOSFET解决方案FDMC8200，可为笔...
日期：2009-07-09
MagnaChip公司发布500V高压MOSFET
MagnaChip半导体有限公司，宣布推出七个高压MOSFET产品，宣告正式全面进入功率半导体市场。此次推出的500VM...
日期：2009-06-22
