IR基准工业级30V MOSFET提供非常低的栅极电荷

时间:2009-08-28

  国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列获得工业的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET,为不间断电源|稳压器 (UPS) 逆变器、低压电动五金|工具、ORing应用和网络通信及和服务器电源等应用提供非常低的栅极电荷 (Qg) 。

  这些坚固耐用的MOSFET采用IR一代的沟道技术,并且通过非常低的导通电阻 (RDS(on)) 来减少散热。此外,新器件的超低栅极电荷有助于延长不间断电源逆变器或电动工具的电池寿命。

  新款MOSFET拥有充分表征的崩溃电压和电流。随着IR对这些基准MOSFET的持续开发,它们将可以作为现有30V TO-220器件的直接替代品或升级品。

  新器件获得了工业级及潮湿敏感度 (MSL1) 。这些30V MOSFET采用TO-220封装,皆为无铅设计,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHs) 指令。

  器件编号 封装

  IRLB8721PbF TO-220AB

  IRLB8743PbF TO-220AB

  IRLB8748PbF TO-220AB

  IRLB3813PbF TO-220AB


  
上一篇:Aptina推出质优的超小型VGA成像系统芯片
下一篇:OmniVision推出真正的1080p高清视频图像传感器

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

相关技术资料