Toshiba 推出3.3mmx3.3mm TSON封装的低导通电阻大电流MOSFET

　　东芝美国电子元器件公司（TAEC）近日推出Toshiba公司的TSON Advance MOSFET封装，采用薄的、紧凑型3.3mmx3.3mmx0.9mm封装, 提供高功率。相对于广泛使用5.0mm x 6.0mm SOP-8封装，东芝公司开发的TSON Advance封装减小64%的安装面积，同时实现相同的功耗1.9W。

　　TAEC还推出采用新的TSON Advance封装的四个低RDS(ON)功率MOSFET，主要应用于笔记本电脑和电子产品的电源管理开关或电池保护控制电路（PCM）。紧凑型封装提高了安装密度和具有大电流能力。

　　推出的系列包括一个30V N-沟器件TPCC8008和一个20V N-沟器件TPCC8007，以及两个30V P-沟器件TPCC8102和TPCC8103。

　　价格和供货情况

　　现可提供TSON封装的UMOS IV和V MOSFET样品，TPCC8008、TPCC8102和TPCC8103将批量投入生产，2009年10月TPCC8007将开始批量生产。