N沟MOSF管IRLL2703
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
45 毫欧 @ 3.9A, 10V |
30V |
3.9A |
2.4V @ 250µA |
14nC @ 5V |
530pF @ 25V |
1W |
表面贴装 |
TO-261-4, TO-261AA |
带卷 (TR) |
SOT-223 |
IR/国际整流器
IRLL2703
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
2.4(V)
250(μS)
530(pF)
0(dB)
390(mA)
1000(mW)